| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 250 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 150 mA |
| 封装 | SOT-323-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 200 mW |
| 增益频宽积 | 250 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.15A |
| 最小电流放大倍数 | 820 @1mA, 5V |
| 最大电流放大倍数 | 820 @1mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 200 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 820 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 0.8 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
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ROHM 2SD2351T106W 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 50 mA, 820 hFE
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM 2SD2351T106V 单晶体管 双极, 高速, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 150 mA, 820 hFE
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通用晶体管（50V，0.15A）特点1）高DC电流增益。2）高发射基地电压。 （VCBO12V）3）低饱和电压。（典型值VCE（sat）=0.3V IC / IB=50mA/5mA）
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