| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 25.0 V |
| 额定电流 | 1.20 A |
| 封装 | SOT-89 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 25V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 1.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 820~1800 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 300mV/0.3V 耗散功率PcPower Dissipation | 2W Description & Applications | Medium Power Transistor (25V, 1.2A) Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VEBO=12V) 3) Low saturation voltage. (Max. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=500mA/10mA) 描述与应用 | 中等功率晶体管（25V，1.2A） 特点 1）高DC电流增益。 2）高发射基地电压。 （VEBO12V） 3）低饱和电压。 （最大VCE（sat）=0.3V IC / IB=500mA/10mA）
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
2SD2537 系列 25 V 1.2 A 表面贴装 NPN 中等功率 晶体管 -SC-62
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
中等功率晶体管（25V，1.2A）特点1）高DC电流增益。2）高发射基地电压。 （VEBO12V）3）低饱和电压。（最大VCE（sat）=0.3V IC / IB=500mA/10mA）
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