类型 | 描述 |
---|
封装 | SOT-23 |
极性 | NPN |
击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
集电极最大允许电流 | 1A |
最小电流放大倍数 | 270 |
最大电流放大倍数 | 680 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 30V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 320MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 270~680 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 120mV/0.12V 耗散功率PcPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| General purpose amplification (12V, 1.5A) Application Low frequency amplifier Features 1) A collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. VCE(sat) 200mV at IC = 500mA / IB = 25mA 描述与应用| 通用放大(12V,1.5A) 应用 低频放大器 特点 1)集电极电流是很大的。 2)集电极饱和电压低。 中VCE(六)200mV的 在IC =500毫安/ IB=25毫安时
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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