类型 | 描述 |
---|
封装 | SC-82 |
正向电压 | 0.5 V |
最大反向电压(Vrrm) | 30V |
正向电流 | 0.2 A |
最大反向漏电流 | 0.03mA |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Not Recommended |
最小包装数量 | 3000 |
反向电压VrReverse Voltage| 30V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 200mA/0.2A 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 500mV/0.5V 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| •Compact size. • High reliability. •Extremely low forward voltage. • This is a composite component and is ideal for • reducing the number of components used. 描述与应用| •紧凑的尺寸。 •高可靠性。 •极低的正向电压。 •这是一个的复合组成部分,是理想的 ·减少了使用的元件数量。
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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肖特基二极管 Schottky Barrier Diode
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
二极管 小信号, 双隔离, 30 V, 100 mA, 430 mV, 1 A
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ROHM RB481KTL 小信号肖特基二极管, 通用, 双隔离, 30 V, 200 mA, 500 mV, 1 A, 125 °C
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
小信号肖特基二极管, 双隔离, 90 V, 100 mA, 610 mV, 1 A, 125 °C
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RB481K 肖特基二极管 30V 200mA/0.2A 500mV/0.5V S0T-343/SC-82A/UMD4 marking/标记 3U 低压降
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RB481Y 肖特基二极管 30V 100mA/0.1A 430mV/0.43V SOT-543/EMD4 marking/标记 3U 低压降
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RB481Y-90 肖特基二极管 90V 100mA/0.1A 610mV/0.61V SOT-543/EMD4 marking/标记 2E 低压降
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小信号肖特基二极管, 双隔离, 40 V, 200 mA, 450 mV, 1 A, 125 °C
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