最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -20V 最大漏极电流IdDrain Current| -2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.26Ω @-1A,-10V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -1.0--2.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 20W Description & Applications| FEATURES • Can be directly driven by 5-V IC • Low ON resistance RDS(on) = 0.60 Ω MAX. @VGS = –4 V, ID = –1.0 A RDS(on) = 0.35 Ω MAX. @VGS = –10 V, ID = –1.0 A 描述与应用| •可直接驱动5-V IC •低导通电阻 RDS(ON)= 0.60Ω最大。 @ VGS=-4 V,ID= -1.0à RDS(ON)= 0.35Ω最大。 @ VGS=-10V,ID=-1.0 A
NEC(日本电气)
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