| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | TO-263 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 15A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 200V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 15A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.13Ω/Ohm @10A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.5-3.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 75W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV) Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications Features Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications 4 V gate drive Low drain−source ON resistance High forward transfer admittance Low leakage current Enhancement−mode 描述与应用| 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型（π-MOSV） 斩波稳压器，DC-DC转换器和电机驱动应用 特性 硅N沟道MOS型 斩波稳压器，DC-DC转换器和电机驱动 应用 4 V栅极驱动 低漏源导通电阻 高正向转移导纳 低漏电流 增强型
Toshiba（东芝）
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