2SJ401 数据手册 - Toshiba（东芝）

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -20A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.033Ω @10A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.8--2.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 100mW/0.1W Description & Applications| 4 V gate drive Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 33 mΩ (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 20 S (typ.) Low leakage current : IDSS = −100 µA (max) (VDS = −60 V) Enhancement−mode : Vth = −0.8~−2.0 V (VDS = −10 V, ID = −1 mA) 描述与应用| 4 V栅极驱动 低漏源导通电阻RDS（ON）= 33mΩ（典型值） 高正向转移导纳：| YFS|=20 S（典型值） 低漏电流：IDSS=-100μA（最大值）（VDS=-60V） 增强模式：VTH =-0.8〜-2.0 V（VDS= -10 V，ID=-1毫安）