SSM3J115TU 数据手册 - Toshiba（东芝）

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.2A/-0.2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.077Ω @-1A,-4V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.3V-1.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 800mW/0.8W Description & Applications| High-Speed Switching Applications Power Management Switch Applications • 1.5 V drive • Low ON-resistance: Ron = 353 mΩ (max) (@VGS = −1.5 V) Ron = 193 mΩ (max) (@VGS = −1.8 V) Ron = 125 mΩ (max) (@VGS = −2.5 V) Ron = 98 mΩ (max) (@VGS = −4.0 V) 描述与应用| 高速开关应用 电源管理开关应用 •1.5 V驱动器 •低导通电阻：罗恩=353MΩ（最大）（@ VGS=-1.5 V） 罗恩=193MΩ（最大）（@ VGS=-1.8 V） 罗恩=125MΩ（最大）（@ VGS=-2.5 V） 罗恩=98MΩ（最大）（@ VGS= -4.0 V）