类型 | 描述 |
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封装 | PW-MINI |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 16 V |
连续漏极电流(Ids) | 2A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 16V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流Id Drain Current| 2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.22Ω/Ohm @1A,4V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.1V 耗散功率Pd Power Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV) DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Features Silicon N-channel MOS FET DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications 2.5 V gate drive Low drain−source ON resistance High forward transfer admittance Low leakage current Enhancement−mode 描述与应用| 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型(π-MOSV) DC-DC转换器,继电器驱动和电机驱动应用 特性 硅N沟道MOS FET DC-DC转换器,继电器驱动和电机驱动应用 2.5 V门驱动 低漏源导通电阻 高正向转移导纳 低漏电流 增强型
Toshiba(东芝)
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