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2ST5949
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2ST5949 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:双极性晶体管
封装:TO-3
描述:高功率NPN外延平面型双极晶体管 High power NPN epitaxial planar bipolar transistor
PDF文件:2ST5949 数据手册 (8 页)封装尺寸在5 页6 页
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焊盘图
引脚图
产品图
2ST5949 数据手册 (8 页)
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2ST5949 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-3
极性NPN
击穿电压(集电极-发射极)250 V
集电极最大允许电流17A
最小电流放大倍数80 @1A, 5V
最大电流放大倍数80
额定功率(Max)250 W
工作温度(Max)200 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)250000 mW
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2ST5949 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Bulk
工作温度150℃ (TJ)
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2ST5949 数据手册

2ST5949 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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