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STW13NK80Z
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STW13NK80Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:N沟道800V - 0.53W - 12A TO- 247齐纳保护超网功率MOSFET N-CHANNEL 800V - 0.53W - 12A TO-247 Zener-Protected SuperMESH?Power MOSFET
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STW13NK80Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)800 V
额定电流12.0 A
封装TO-247-3
通道数1 Channel
漏源极电阻650 mΩ
极性N-Channel
功耗230 W
漏源极电压(Vds)800 V
漏源击穿电压800 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)12.0 A
上升时间22 ns
输入电容值(Ciss)3480pF @25V(Vds)
下降时间55 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)230W (Tc)
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STW13NK80Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度15.75 mm
宽度5.15 mm
高度20.15 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STW13NK80Z 数据手册

STW13NK80Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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STW13NK80 数据手册

STW13NK80Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道800V - 0.53W - 12A TO- 247齐纳保护超网功率MOSFET N-CHANNEL 800V - 0.53W - 12A TO-247 Zener-Protected SuperMESH?Power MOSFET
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