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2STBN15D100T4
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2STBN15D100T4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:双极性晶体管
封装:TO-263-3
描述:低电压NPN功率达林顿晶体管 Low voltage NPN power Darlington transistor
PDF文件:2STBN15D100T4 数据手册 (7 页)封装尺寸在4 页5 页
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2STBN15D100T4 数据手册 (7 页)
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2STBN15D100T4 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
极性NPN
功耗70 W
击穿电压(集电极-发射极)100 V
集电极最大允许电流12A
最小电流放大倍数750 @3A, 3V
额定功率(Max)70 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)70000 mW
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2STBN15D100T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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2STBN15D100T4 数据手册

2STBN15D100T4 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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STMICROELECTRONICS  2STBN15D100  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 70 W, 12 A, 750 hFE
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ST Microelectronics（意法半导体）
低电压NPN功率达林顿晶体管 Low voltage NPN power Darlington transistor
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