| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-247-4 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 595 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 76A |
| 输入电容值(Ciss) | 12560pF @100V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 595W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 宽度 | 5.2 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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ON Semiconductor（安森美）
FCH041N65EFL4: 功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET? II，FRFET?，650 V，76 A，41 mΩ，TO-247 4L
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH041N65EF_F155 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 76 A, 650 V, 0.036 ohm, 10 V, 5 V 新
Fairchild（飞兆/仙童）
SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCH041N65F_F155, 76 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
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