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6EDL04I06PT
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6EDL04I06PT 数据手册 (25 页)
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6EDL04I06PT 技术参数、封装参数

6EDL04I06PT 外形尺寸、物理参数、其它

6EDL04I06PT 数据手册

Infineon(英飞凌)
25 页 / 0.79 MByte
Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
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23 页 / 0.63 MByte

6EDL04I06 数据手册

Infineon(英飞凌)
EiceDRIVER™ 3 相栅极驱动 IC,InfineonInfineon 3 相 600V MOSFET 和 IGBT 栅极驱动 IC 基于经验证的现有 SOI 技术。 这些坚固的设备中无寄生闸流晶体管结构,可在所有正常工作条件下防闩锁。 驱动器包括欠电压、过电流检测且可由 CMOS 或低至 3.3V 的 LSTTL 兼容信号控制。最大阻隔电压 600V 六个独立驱动器 通过 3.3V 逻辑控制 欠电压检测,带滞后 过电流检测 ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
Infineon(英飞凌)
Infineon 6EDL04I06PTXUMA1 6路 全桥 MOSFET 功率驱动器, 420mA, 13 → 17.5 V电源, 28引脚 DSO封装
Infineon(英飞凌)
IGBT驱动器, 全桥, 420mA, 13V至17.5V电源, 530ns/490ns延迟, SOIC-28
Infineon(英飞凌)
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