Datasheet 搜索 > IGBT晶体管 > ST Microelectronics（意法半导体） > STGW35NB60SD Datasheet 文档
STGW35NB60SD
来自 AiPCBA

STGW35NB60SD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-247-3
描述:STMICROELECTRONICS  STGW35NB60SD  单晶体管, IGBT, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
PDF文件:STGW35NB60SD 数据手册 (13 页)封装尺寸在10 页11 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
STGW35NB60SD 数据手册 (13 页)
查看文档
或点击图片查看大图

STGW35NB60SD 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流35.0 A
封装TO-247-3
针脚数3 Position
极性N-Channel
功耗200 W
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)70.0 A
上升时间70 ns
击穿电压(集电极-发射极)600 V
反向恢复时间44 ns
额定功率(Max)200 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)200 W
查看数据手册 >

STGW35NB60SD 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度15.75 mm
宽度5.15 mm
高度20.15 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

STGW35NB60SD 数据手册

STGW35NB60SD 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
13 页 / 0.23 MByte
STGW35NB60SD 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
20 页 / 2.6 MByte
STGW35NB60SD 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
30 页 / 0.31 MByte

STGW35NB60 数据手册

STGW35NB60SD 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STGW35NB60SD  单晶体管, IGBT, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
STGW35NB60S 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet