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APT100GT120JU2
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APT100GT120JU2 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:IGBT晶体管
封装:SOT-227
描述:ISOTOP升压斩波沟道+场截止IGBT ISOTOP Boost chopper Trench + Field Stop IGBT
PDF文件:APT100GT120JU2 数据手册 (7 页)封装尺寸在7 页
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焊盘图
引脚图
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APT100GT120JU2 数据手册 (7 页)
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APT100GT120JU2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数4 Pin
封装SOT-227
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
输入电容值(Cies)7.2nF @25V
额定功率(Max)480 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)480000 mW
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APT100GT120JU2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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APT100GT120JU2 数据手册

APT100GT120JU2 数据手册
Microsemi（美高森美）
7 页 / 0.37 MByte
APT100GT120JU2 其他数据使用手册
Microsemi（美高森美）
8 页 / 0.55 MByte
APT100GT120JU2 产品封装文件
Microsemi（美高森美）
13 页 / 0.91 MByte
APT100GT120JU2 其他参考文件
Microsemi（美高森美）
1 页 / 0.13 MByte

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