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S25FL512SAGBHI210 数据手册 (134 页)
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S25FL512SAGBHI210 技术参数、封装参数

S25FL512SAGBHI210 外形尺寸、物理参数、其它

S25FL512SAGBHI210 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
134 页 / 3.86 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
146 页 / 1.62 MByte

S25FL512 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
S25FL512S 系列 512 Mb (64M x 8) 3 V SPI 串行 闪存-NOR 存储器 - SOIC-16
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
S25FL512SAGMFIG10 托盘
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
FL-S 系列 512 M (64 M x 8) 3.6 V MirrorBit® 闪存 非易失性 存储器 - BGA-24
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, MirrorBit Eclipse架构, 串行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位, SPI, SOIC, 16 引脚
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S25FL512SAGMFI011  闪存, 或非, 512 Mbit, 133 MHz, SPI, SOIC, 16 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
SPI NOR 闪存存储器,Cypress Semiconductor高性能 低引脚计数四路 SPI(串行外围设备接口) ### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, 或非, 串行NOR, 512 Mbit, SPI, BGA, 24 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, 或非, 串行NOR, 512 Mbit, SPI, SOIC, 16 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, MirrorBit Eclipse架构, 串行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位, SPI, SOIC, 16 引脚
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