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APT100M50J
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APT100M50J 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:N沟道MOSFET N-Channel MOSFET
PDF文件:APT100M50J 数据手册 (1 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
APT100M50J 数据手册 (1 页)
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APT100M50J 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数4 Pin
额定电压(DC)500 V
额定电流100 A
封装SOT-227-4
极性N-CH
功耗960 W
输入电容24.6 nF
栅电荷620 nC
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)100 A
上升时间125 ns
输入电容值(Ciss)24600pF @25V(Vds)
下降时间90 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)960W (Tc)
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APT100M50J 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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APT100M50J 数据手册

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