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APT66M60B2
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APT66M60B2 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:N沟道MOSFET N-Channel MOSFET
PDF文件:APT66M60B2 数据手册 (4 页)封装尺寸在4 页
典型应用电路图在1 页
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焊盘图
引脚图
产品图
APT66M60B2 数据手册 (4 页)
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APT66M60B2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流66.0 A
封装TO-247-3
功耗1135W (Tc)
输入电容13.2 nF
栅电荷330 nC
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)66.0 A
上升时间85 ns
输入电容值(Ciss)13190pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1135 W
下降时间70 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1135W (Tc)
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APT66M60B2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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APT66M60B2 数据手册

APT66M60B2 数据手册
Microsemi（美高森美）
4 页 / 0.2 MByte
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APT66M60B2 产品手册
Microsemi（美高森美）
40 页 / 4.07 MByte

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