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APT4M120K
来自 AiPCBA

APT4M120K 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N沟道MOSFET N-Channel MOSFET
PDF文件:APT4M120K 数据手册 (5 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

APT4M120K 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)1.20 kV
额定电流4.00 A
封装TO-220-3
极性N-CH
功耗225 W
漏源极电压(Vds)1200 V
连续漏极电流(Ids)4.00 A
输入电容值(Ciss)1385pF @25V(Vds)
额定功率(Max)225 W
耗散功率(Max)225W (Tc)
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APT4M120K 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Rail, Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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APT4M120K 数据手册

APT4M120K 数据手册
Microsemi（美高森美）
5 页 / 0.48 MByte
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