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APT25GT120BRDQ2G
来自 AiPCBA

APT25GT120BRDQ2G 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-247-3
描述:功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules
PDF文件:APT25GT120BRDQ2G 数据手册 (9 页)
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焊盘图
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APT25GT120BRDQ2G 数据手册 (9 页)
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APT25GT120BRDQ2G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)1.20 kV
额定电流54.0 A
封装TO-247-3
功耗347000 mW
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
额定功率(Max)347 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)347000 mW
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APT25GT120BRDQ2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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APT25GT120BRDQ2G 数据手册

APT25GT120BRDQ2G 数据手册
Microsemi（美高森美）
9 页 / 0.15 MByte
APT25GT120BRDQ2G 产品设计参考手册
Microsemi（美高森美）
12 页 / 1.03 MByte
APT25GT120BRDQ2G 其他数据使用手册
Microsemi（美高森美）
9 页 / 0.25 MByte
APT25GT120BRDQ2G 产品手册
Microsemi（美高森美）
40 页 / 4.07 MByte

APT25GT120BRDQ2 数据手册

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