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IXFN64N60P
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IXFN64N60P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN64N60P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 64 A, 600 V, 96 mohm, 10 V, 5 V
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IXFN64N60P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数4 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流64.0 A
封装SOT-227-4
针脚数4 Position
漏源极电阻0.096 Ω
极性N-Channel
功耗700 W
阈值电压5 V
输入电容1.15 nF
栅电荷200 nC
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)50.0 A
上升时间23 ns
输入电容值(Ciss)12000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)700 W
下降时间24 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)700W (Tc)
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IXFN64N60P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFN64N60P 数据手册

IXFN64N60P 数据手册
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IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN64N60P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 64 A, 600 V, 96 mohm, 10 V, 5 V
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