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IRFH3702TR2PBF
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IRFH3702TR2PBF 数据手册 - International Rectifier（国际整流器）

制造商:International Rectifier（国际整流器）
分类:MOS管
封装:QFN-8
描述:N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
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IRFH3702TR2PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装QFN-8
额定功率2.8 W
极性N-Channel
功耗2.80 W
零部件系列IRFH3702
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)16.0 A, 16.0 mA
输入电容值(Ciss)1510pF @15V(Vds)
额定功率(Max)2.8 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.8 W
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IRFH3702TR2PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
长度3 mm
宽度3 mm
高度0.95 mm
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IRFH3702TR2PBF 数据手册

IRFH3702TR2PBF 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
10 页 / 0.26 MByte
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IRFH3702TR2 数据手册

IRFH3702TR2PBF 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
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