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APT50GS60BRDQ2G
来自 AiPCBA

APT50GS60BRDQ2G 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-247-3
描述:迅雷高速NPT IGBT与反并联二极管DQ Thunderbolt High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel DQ Diode
PDF文件:APT50GS60BRDQ2G 数据手册 (9 页)封装尺寸在9 页
典型应用电路图在1 页
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焊盘图
引脚图
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APT50GS60BRDQ2G 数据手册 (9 页)
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APT50GS60BRDQ2G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
功耗415000 mW
击穿电压(集电极-发射极)600 V
反向恢复时间25 ns
额定功率(Max)415 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)415000 mW
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APT50GS60BRDQ2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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APT50GS60BRDQ2G 数据手册

APT50GS60BRDQ2G 数据手册
Microsemi（美高森美）
9 页 / 0.32 MByte
APT50GS60BRDQ2G 产品设计参考手册
Microsemi（美高森美）
12 页 / 1.03 MByte
APT50GS60BRDQ2G 其他数据使用手册
Microsemi（美高森美）
6 页 / 0.13 MByte
APT50GS60BRDQ2G 产品手册
Microsemi（美高森美）
40 页 / 4.07 MByte

APT50GS60BRDQ2 数据手册

APT50GS60BRDQ2G 数据手册
Microsemi（美高森美）
迅雷高速NPT IGBT与反并联二极管DQ Thunderbolt High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel DQ Diode
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