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IPP50R299CP
来自 AiPCBA

IPP50R299CP 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:INFINEON  IPP50R299CP  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 550 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPP50R299CP 数据手册 (10 页)
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IPP50R299CP 数据手册 (10 页)
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IPP50R299CP 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.27 Ω
极性N-Channel
功耗104 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)550 V
漏源击穿电压500 V
连续漏极电流(Ids)12.0 A
上升时间14 ns
输入电容值(Ciss)1190pF @100V(Vds)
额定功率(Max)104 W
下降时间12 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)104 W
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IPP50R299CP 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10 mm
宽度4.4 mm
高度15.65 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IPP50R299CP 数据手册

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Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.53 MByte
IPP50R299CP 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPP50R299CP 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
33 页 / 1.03 MByte
IPP50R299CP 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
IPP50R299CP 产品手册
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10 页 / 0.27 MByte

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