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APTGT50SK170T1G
来自 AiPCBA

APTGT50SK170T1G 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:IGBT晶体管
封装:SP-1
描述:降压斩波沟道+场站IGBT®电源模块 Buck chopper Trench + Field Stop IGBT® Power Module
PDF文件:APTGT50SK170T1G 数据手册 (4 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
APTGT50SK170T1G 数据手册 (4 页)
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APTGT50SK170T1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数12 Pin
封装SP-1
功耗312 W
击穿电压(集电极-发射极)1700 V
输入电容值(Cies)4.4nF @25V
额定功率(Max)312 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)312000 mW
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APTGT50SK170T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度51.6 mm
宽度40.8 mm
高度11.5 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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APTGT50SK170T1G 数据手册

APTGT50SK170T1G 数据手册
Microsemi（美高森美）
4 页 / 0.39 MByte
APTGT50SK170T1G 其他数据使用手册
Microsemi（美高森美）
6 页 / 0.43 MByte
APTGT50SK170T1G 产品手册
Microsemi（美高森美）
40 页 / 4.07 MByte

APTGT50SK170T1 数据手册

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