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NGTB10N60R2DT4G

来自 AiPCBA

NGTB10N60R2DT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:	ON Semiconductor（安森美）
分类:	IGBT晶体管
封装:	TO-252-3
描述:	ON SEMICONDUCTOR NGTB10N60R2DT4G 单晶体管, IGBT, 20 A, 1.7 V, 72 W, 600 V, TO-252, 3 引脚
PDF文件:	NGTB10N60R2DT4G 数据手册 (7 页)封装尺寸在7 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

NGTB10N60R2DT4G 数据手册 (7 页)

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NGTB10N60R2DT4G 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	TO-252-3
针脚数	3 Position
功耗	72 W
击穿电压(集电极-发射极)	600 V
反向恢复时间	90 ns
额定功率(Max)	72 W
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	72 W

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NGTB10N60R2DT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	6.73 mm
宽度	6.22 mm
高度	2.38 mm
工作温度	175℃ (TJ)

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NGTB10N60R2DT4G 符合标准

NGTB10N60R2DT4G 海关信息

NGTB10N60R2DT4G 概述

NGTB10N60R2DT4G 数据手册

NGTB10N60R2DT4G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

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NGTB10N60R2DT4 数据手册

NGTB10N60R2DT4G 数据手册

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ON SEMICONDUCTOR NGTB10N60R2DT4G 单晶体管, IGBT, 20 A, 1.7 V, 72 W, 600 V, TO-252, 3 引脚

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