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APTGT600U170D4G
来自 AiPCBA

APTGT600U170D4G 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:IGBT晶体管
封装:D-4
描述:单开关沟道+场站IGBT功率模块 Single switch Trench + Field Stop IGBT Power Module
PDF文件:APTGT600U170D4G 数据手册 (1 页)
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APTGT600U170D4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Chassis
引脚数4 Pin
封装D-4
功耗2.9 kW
击穿电压(集电极-发射极)1700 V
输入电容值(Cies)51nF @25V
额定功率(Max)2900 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)2900000 mW
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APTGT600U170D4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Box
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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APTGT600U170D4G 数据手册

APTGT600U170D4G 数据手册
Microsemi（美高森美）
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APTGT600U170D4G 产品手册
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