| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | VSON-FET-8 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 4 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 3.1 W |
| 阈值电压 | 1.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 23.5A |
| 上升时间 | 17 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3252pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.1 W |
| 下降时间 | 5.2 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.1W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5.8 mm |
| 宽度 | 5 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
NexFET™ 功率 MOSFET 被设计用于大大减少功率转换应用中的功率损失。
●顶视图 RθJA= 40.5°C/W，这是在一个厚度为 0.06 英寸 (1.52mm) 的 FR4 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2(6.45cm2)，
●2 盎司（厚度 0.071mm）的铜过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
● 超低 Qg和 Qgd
● 低热阻
● 雪崩级
● 无铅端子镀层
● 符合 RoHS 标准
● 无卤素
● 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm × 6mm 塑料封装
TI（德州仪器）
12 页 / 1.23 MByte
TI（德州仪器）
N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17553Q5A
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
