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APTM100A13SCG
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APTM100A13SCG 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:MOS管
封装:SP-6
描述:相脚系列和碳化硅二极管并联MOSFET功率模块 Phase leg Series & SiC parallel diodes MOSFET Power Module
PDF文件:APTM100A13SCG 数据手册 (7 页)封装尺寸在3 页
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焊盘图
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APTM100A13SCG 数据手册 (7 页)
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APTM100A13SCG 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Chassis
引脚数7 Pin
封装SP-6
极性N-CH
功耗1250000 mW
漏源极电压(Vds)1000 V
连续漏极电流(Ids)65A
上升时间9 ns
输入电容值(Ciss)15200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1250 W
下降时间24 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)1250000 mW
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APTM100A13SCG 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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APTM100A13SCG 数据手册

APTM100A13SCG 数据手册
Microsemi（美高森美）
7 页 / 0.27 MByte
APTM100A13SCG 其他数据使用手册
Microsemi（美高森美）
8 页 / 0.62 MByte
APTM100A13SCG 开发手册
Microsemi（美高森美）
11 页 / 0.42 MByte

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