| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PowerSMD-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.025 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 70 W |
| 阈值电压 | 1V ~ 3V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20A |
| 上升时间 | 9.6 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 970pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 70 W |
| 下降时间 | 5.2 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 4.3W (Ta), 70W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.15 mm |
| 宽度 | 5.2 mm |
| 高度 | 0.95 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
17 页 / 0.96 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N 沟道 100 V 8 A 20 mOhm STripFET VII DeepGATE 功率 Mosfet - PowerFLAT 3.3 x 3.3
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
