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ARF1501
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ARF1501 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:晶体管
封装:T-1
描述:RF功率MOSFET N沟道增强模式 RF POWER MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
PDF文件:ARF1501 数据手册 (4 页)
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ARF1501 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率27.12 MHz
额定电流30 A
封装T-1
功耗1500000 mW
上升时间5 ns
输出功率750 W
增益17 dB
输入电容值(Ciss)5400pF @200V(Vds)
下降时间13 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1500000 mW
额定电压1000 V
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ARF1501 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Box
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ARF1501 数据手册

ARF1501 数据手册
Microsemi（美高森美）
4 页 / 0.13 MByte
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