STP55NF06FP 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	STMICROELECTRONICS STP55NF06FP 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 18 mohm, 10 V, 3 V
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STP55NF06FP 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	60.0 V
额定电流	50.0 A
封装	TO-220-3
通道数	1 Channel
针脚数	3 Position
漏源极电阻	0.018 Ω
极性	N-Channel
功耗	30 W
阈值电压	3 V
漏源极电压(Vds)	60 V
漏源击穿电压	60 V
栅源击穿电压	±20.0 V
连续漏极电流(Ids)	50.0 A
上升时间	50 ns
输入电容值(Ciss)	1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	30 W
下降时间	15 ns
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	30000 mW

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STP55NF06FP 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	10.4 mm
宽度	4.6 mm
高度	9.3 mm
工作温度	-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STP55NF06FP 符合标准

STP55NF06FP 概述

STP55NF06FP 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.34 MByte

STP55NF06FP 其他数据使用手册

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STP55NF06FP 产品封装文件

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STP55NF06FP 产品修订记录

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N沟道60V - 0.014ohm - 55A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK STripFET⑩II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩II POWER MOSFET

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