类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 5.8 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 140 W |
零部件系列 | AUIRF1010Z |
阈值电压 | 2 V |
漏源极电压(Vds) | 55 V |
输入电容值(Ciss) | 2840pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 140 W |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
International Rectifier(国际整流器)
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International Rectifier(国际整流器)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON AUIRF1010ZS 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON AUIRF1010Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET,InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON AUIRF1010ZL 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
汽车Q101 60V单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) AUIRF1010ZSTRL TO-263-3
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) AUIRF1010EZSTRL TO-263-3
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