反向电压VRReverse Voltage| 30V \---|--- 电容值CDiode capacitance| 30.2pF @反向电压VR@Reverse Voltage| 2V 电容值CDiode capacitance| 2.72pF @反向电压VR@Reverse Voltage| 25V 电容比Capacitance ratio| 11.1 Description & Applications| Silicon Variable Capacitance Diode For tuning of extended frequency band in VHF TV / VTR tuners High capacitance ratio Low series inductance Low series resistance Excellent uniformity and matching due to "in-line" matching assembly procedure Pb-free (RoHS compliant) package 描述与应用| 硅变容二极管 用于甚高频电视/录像机调谐器的扩展频段调谐 高电容率 低的串联电感 低串联电阻 因“在线”匹配的装配过程而具有良好的均匀性和匹配 无铅封装（符合RoHS）
Infineon（英飞凌）
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BB659 变容二极管 30V 29.75pF 10.4 SOD-523/SC-79/ESC/0603 marking/标记 D 超高频调谐/低串联电阻
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BB659C 变容二极管 30V 30.2pF 11.1 SOD-523/SCD80/0603 marking/标记 HH 超高频调谐/高电容率
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Infineon BB659C02VH7912XTSA1 35V 2.4pF 变容管, 最小调谐比: 14.2 最大为 1MHz, 2引脚 SC-79封装
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硅变容二极管 Silicon Variable Capacitance Diode
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