| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
反向电压VRReverse Voltage| 6V \---|--- 电容值CDiode capacitance| 5.3pF @反向电压VR@Reverse Voltage| 1V 电容值CDiode capacitance| 2.4pF @反向电压VR@Reverse Voltage| 3V 电容比Capacitance ratio| 2.2 Description & Applications| Silicon Tuning Diode High Q hyperabrupt tuning diode Designed for low tuning voltage operation for VCO"s in mobile communications equipment High ratio at low reverse voltage 描述与应用| 硅调谐二极管 高Q超突变调谐二极管 为移动通信设备中的压控振荡器的低调谐电压操作而设计 在低反向电压下有着高比率
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
Infineon BBY5303WE6327HTSA1 6V 4.8pF 变容二极管, 最小调谐比: 1.8, 2引脚 SOD-323封装
Infineon（英飞凌）
BBY53-03W 变容二极管 6V 5.3pF 2.2 SOD-323/SC-76/0805 marking/标记 低调谐电压
Infineon（英飞凌）
Infineon可变电容二极管，通常称为变容、变容管或调谐二极管，在许多需要电容随电压变化改变的许多应用中非常有用。 它们适用于广泛应用，包括：射频调谐、电压控制振荡器和滤波器、频率合成器和乘法器。### 二极管和整流器，Infineon
Siemens Semiconductor（西门子）
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硅调谐二极管 Silicon Tuning Diode
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