| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 45.0 V |
| 额定电流 | 800 mA |
| 封装 | TO-92-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 625 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 45 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.8A |
| 最小电流放大倍数 | 250 @100mA, 1V |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape |
| 长度 | 5.2 mm |
| 宽度 | 4.19 mm |
| 高度 | 5.33 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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