类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
频率 | 100 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-226-3 |
针脚数 | 3 Position |
功耗 | 625 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 45 V |
最小电流放大倍数 | 250 @100mA, 1V |
额定功率(Max) | 625 mW |
直流电流增益(hFE) | 170 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 625 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
材质 | Silicon |
长度 | 5.2 mm |
宽度 | 4.19 mm |
高度 | 5.33 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
小信号 NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor
●### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor
●双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
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NXP(恩智浦)
NPN通用晶体管 NPN general purpose transistor
ON Semiconductor(安森美)
放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN SILICON
ST Microelectronics(意法半导体)
Fairchild(飞兆/仙童)
开关和放大器应用 SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
Micro Commercial Components(美微科)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
NPN 晶体管,Taiwan Semiconductor### 双极晶体管,Taiwan Semiconductor
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管自动对焦(高电流增益高集电极电流低集电极 - 发射极饱和电压) NPN Silicon AF Transistors (High current gain High collector current Low collector-emitter saturation voltage)
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
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