Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor（安森美） > BC373G Datasheet 文档
BC373G
来自 AiPCBA

BC373G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-92-3
描述:高压达林顿晶体管 High Voltage Darlington Transistors
PDF文件:BC373G 数据手册 (5 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BC373G 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BC373G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)80.0 V
额定电流1.00 A
封装TO-92-3
极性NPN
功耗625 mW
击穿电压(集电极-发射极)80 V
集电极最大允许电流1A
最小电流放大倍数10000 @100mA, 5V
额定功率(Max)625 mW
直流电流增益(hFE)160
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
增益带宽200 MHz
耗散功率(Max)1500 mW
查看数据手册 >

BC373G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Bulk
长度5.2 mm
宽度4.19 mm
高度5.33 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

BC373G 数据手册

BC373G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.05 MByte
BC373G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 0.21 MByte

BC373 数据手册

BC373 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
高压达林顿晶体管（ NPN硅） High Voltage Darlington Transistors(NPN Silicon)
BC373 数据手册
Motorola（摩托罗拉）
BC373 数据手册
HITACHI（日立）
BC373 数据手册
Toshiba（东芝）
BC373 数据手册
New Jersey Semiconductor
BC373 数据手册
Renesas Electronics（瑞萨电子）
BC373 数据手册
Silicon Labs（芯科）
BC373 数据手册
NXP（恩智浦）
BC373RL1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  BC373RL1G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 625 mW, 1 A, 10 hFE
BC373G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
高压达林顿晶体管 High Voltage Darlington Transistors
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: BC373 数据手册
 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet