类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
额定电压(DC) | 80.0 V |
额定电流 | 500 mA |
封装 | TO-226-3 |
极性 | NPN |
击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
集电极最大允许电流 | 0.5A |
最小电流放大倍数 | 60 @100mA, 2V |
额定功率(Max) | 625 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
大电流晶体管( NPN硅) High Current Transistors(NPN Silicon)
ON Semiconductor(安森美)
大电流晶体管( NPN硅) High Current Transistors(NPN Silicon)
ON Semiconductor(安森美)
大电流晶体管NPN硅这是PBA ???? Free设备 High Current Transistors NPN Silicon These are PbâFree Devices
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