| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 80.0 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | TO-226-3 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 160 @100mA, 2V |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 200MHz 通孔 TO-92-3
ON Semiconductor（安森美）
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大电流晶体管（ NPN硅） High Current Transistors(NPN Silicon)
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大电流晶体管（ NPN硅） High Current Transistors(NPN Silicon)
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大电流晶体管NPN硅这是PBA ???? Free设备 High Current Transistors NPN Silicon These are PbâFree Devices
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