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BC639RL1G
来自 AiPCBA

BC639RL1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-226-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  BC639RL1G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE
PDF文件:BC639RL1G 数据手册 (4 页)封装尺寸在4 页
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BC639RL1G 数据手册 (4 页)
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BC639RL1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率200 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)80.0 V
额定电流1.00 A
封装TO-226-3
针脚数3 Position
极性NPN
功耗800 mW
击穿电压(集电极-发射极)80 V
集电极最大允许电流1A
最小电流放大倍数40 @150mA, 2V
额定功率(Max)625 mW
直流电流增益(hFE)40
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)625 mW
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BC639RL1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度5.2 mm
宽度4.19 mm
高度5.33 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BC639RL1G 数据手册

BC639RL1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.09 MByte
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