| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 输出接口数 | 1 Output |
| 输出电流 | 7 A |
| 供电电流 | 0.1 mA |
| 漏源极电阻 | 120 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 35 W |
| 漏源击穿电压 | 40.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.50 A |
| 输出电流(Max) | 3.5 A |
| 输入数 | 1 Input |
| 耗散功率(Max) | 35000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
电源开关/驱动器 1：1 N 通道 3.5A DPAK
ST Microelectronics（意法半导体）
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OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
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VND3NV04 单通道 低边 自保护 6 V 7 A 120 mOhm 功率MOSFET - TO-252-3
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OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
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“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
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