| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-363-6-1 |
| 极性 | NPN+PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 65 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.1A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 80V/-80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 65V/-65V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA/-100mA 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 250MHz 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 200~450 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV 耗散功率Pc Power Dissipation| 250mW Description & Applications| Features • NPN/PNP Silicon AF Transistor Arrays • For AF input stage and driver applications • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP transistor in one package • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 描述与应用| 特点 •NPN / PNP硅AF晶体管阵列 •对于AF输入级和驱动器应用 •高电流增益 •低集电极 - 发射极饱和电压 •两个（电流）的内部分离NPN/ PNP晶体管在一个包 •无铅（符合RoHS）包1） •符合AEC Q101
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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NXP（恩智浦）
BC846 NPN三极管 80V 100mA/0.1A 100MHz 110~450 200~600 mV SOT-23/SC-59 marking/标记 1DW 通用开关和放大
Multicomp
MULTICOMP BC846 单晶体管 双极, NPN, 65 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 110 hFE
Infineon（英飞凌）
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
Nexperia（安世）
小信号 NPN 晶体管，Nexperia### 双极晶体管，Nexperia
KEC(Korea Electronics)（KEC株式会社）
Vishay Semiconductor（威世）
小信号晶体管（ NPN ） Small Signal Transistors (NPN)
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