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IXFN170N10

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IXFN170N10 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:	IXYS Semiconductor
分类:	MOS管
封装:	SOT-227-4
描述:	IXYS SEMICONDUCTOR IXFN170N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 100 V, 10 mohm, 10 V, 4 V
PDF文件:	IXFN170N10 数据手册 (4 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

IXFN170N10 数据手册 (4 页)

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IXFN170N10 技术参数、封装参数

类型	描述
引脚数	3 Pin
封装	SOT-227-4
额定功率	600 W
通道数	1 Channel
针脚数	3 Position
漏源极电阻	0.01 Ω
极性	N-Channel
功耗	600 W
阈值电压	4 V
漏源极电压(Vds)	100 V
漏源击穿电压	100 V
连续漏极电流(Ids)	170 A
上升时间	90 ns
输入电容值(Ciss)	10300pF @25V(Vds)
下降时间	79 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	55 ℃
耗散功率(Max)	600W (Tc)

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IXFN170N10 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Not Recommended for New Designs
包装方式	Tube
材质	Silicon
长度	38.3 mm
宽度	25.07 mm
高度	9.6 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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