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BC859CLT1G
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BC859CLT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SOT-23-3
描述:通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon
PDF文件:BC859CLT1G 数据手册 (7 页)封装尺寸在7 页
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BC859CLT1G 数据手册 (7 页)
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BC859CLT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-30.0 V
额定电流-100 mA
封装SOT-23-3
极性PNP
击穿电压(集电极-发射极)30 V
集电极最大允许电流0.1A
最小电流放大倍数420 @2mA, 5V
额定功率(Max)300 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300 mW
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BC859CLT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BC859CLT1G 数据手册

BC859CLT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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