| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 130 MHz |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 80.0 V |
| 额定电流 | 1.00 A |
| 封装 | TO-261-4 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.5 W |
| 集电极击穿电压 | 100 V (min) |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 最小电流放大倍数 | 40 @150mA, 2V |
| 额定功率(Max) | 1.5 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 100V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 80V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 130MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40~250 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 1.5W Description & Applications| MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT Features • Pb−Free Package is Available • High Current: 1.0 Amp • The SOT-223 package can be soldered using wave or reflow. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die • Available in 12 mm Tape and Reel Use BCP56T1 to order the 7 inch/1000 unit reel Use BCP56T3 to order the 13 inch/4000 unit reel • PNP Complement is BCP53T1 描述与应用| 中功率NPN硅高电流晶体管 表面贴装 特点 •高电流：1.0安培 SOT-223封装，可以使用波或回流焊接。所形成的线索在焊接热应力吸收，消除模具损坏的可能性 •可在12毫米编带和卷轴 使用BCP56T1到责令7 inch/1000的单位卷轴 使用BCP56T3责令13 inch/4000单位卷轴 •PNP补语是BCP53T1
ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
NPN 晶体管，60V 至 100V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Infineon（英飞凌）
NPN硅晶体管自动对焦 NPN Silicon AF Transistors
Nexperia（安世）
通用 NPN 晶体管，Nexperia### 双极晶体管，Nexperia
ST Microelectronics（意法半导体）
中功率放大器 MEDIUM POWER AMPLIFIER
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