| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 100 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 0.2 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 最小电流放大倍数 | 70 @5mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 200 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 增益带宽 | 150 MHz |
| 耗散功率(Max) | 200 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.9 mm |
双电阻器数字晶体管，Infineon
●Infineon 的一系列双极性结点晶体，配有集成电阻器，允许直接从数字来源驱动，无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。
Infineon（英飞凌）
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NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor
Siemens Semiconductor（西门子）
Infineon（英飞凌）
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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