类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -30.0 V |
额定电流 | -1.20 A |
封装 | SOT-23-3 |
额定功率 | 250 mW |
针脚数 | 3 Position |
极性 | PNP, P-Channel |
功耗 | 350 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
最小电流放大倍数 | 20000 @100mA, 5V |
额定功率(Max) | 350 mW |
直流电流增益(hFE) | 20000 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
增益带宽 | 220 MHz |
耗散功率(Max) | 350 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.92 mm |
宽度 | 1.3 mm |
高度 | 0.93 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-EmitterVoltage(VCEO)| -30V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -1.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 220MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 20000 @ -5V,-0.1A 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -1V 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| • PNP Darlington Transistor • Designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 800 mA. • Discrete POWER & Signal Technologies 描述与应用| • PNP达林顿晶体管 • 为需要电流增益可达到800mA而设计 • 分立功率与信号技术
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