类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-23 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 300 mW |
最小电流放大倍数 | 25 |
直流电流增益(hFE) | 90 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 300 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
长度 | 3 mm |
宽度 | 1.4 mm |
高度 | 1 mm |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 25V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 15V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 25mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 1GHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 90 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| NPN 1 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT23 package. APPLICATIONS A wide range of RF applications such as:Mixers and oscillators in TV tuners RF communications equipment. 描述与应用| NPN1 GHz的宽带晶体管 说明 在一个塑料SOT23封装的NPN晶体管。 应用 广泛的射频应用,如:混频器和振荡器在电视调谐器射频通讯设备。
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